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175 C Operating Temperature
Advanced Power MOSFET
FEATURES
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Ο
Lower Leakage Current : 10 μ A (Max.) @ V DS = 100V
IRFP150A
BV DSS = 100 V
R DS(on) = 0.04 ?
I D = 43 A
TO-3P
Lower R DS(ON) : 0.032 ? (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Continuous Drain Current (T C =25 C )
Continuous Drain Current (T C =100 C )
Symbol
V DSS
I D
Characteristic
Drain-to-Source Voltage
Ο
Ο
Value
100
43
30.4
Units
V
A
O
Total Power Dissipation (T C =25 C )
W/ C
I DM
V GS
E AS
I AR
E AR
dv/dt
P D
T J , T STG
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Ο
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
O 1
2
O 1
O 1
O 3
170
+ _ 2 0
740
43
19.3
6.5
193
1.28
- 55 to +175
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
Ο
T L
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds
300
Ο
C
Thermal Resistance
Symbol
R θ JC
Characteristic
Junction-to-Case
Typ.
--
Max.
0.78
Units
R θ CS
R θ JA
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
0.24
--
--
40
Ο
C /W
Rev. B
?1999 Fairchild Semiconductor Corporation
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